Тодорхойлолт:
1. IGT, ВGTбас биHтуршилтын утга нь 25 байна℃, уХэрэв өөрөөр заагаагүй бол бусад бүх параметрүүд нь T-ийн туршилтын утга юмjm;
2.I2t=I2FSM×tw/2, tw= Синусоидын хагас долгионы гүйдлийн суурийн өргөн.50 Гц давтамжтай I2t=0.005I2FSM(A2S);
3. 60 Гц-т: IFSM(8.3мс)=IFSM(10мс)×1.066,Тj=Tj;I2t(8.3мс)=I2t(10мс)×0.943,Тj=Tjm.
Параметр:
ТӨРӨЛ | IT(AV) A | TC ℃ | VDRM/VRRM V | ITSM @TVJIM&10мс A | I2t A2s | VTM @IT&ТJ=25℃ В / А | tq μs | Tjm ℃ | Rjc ℃/Вт | Rcs ℃/Вт | F KN | m Kg | КОД | |
1200 В хүртэл хүчдэл | ||||||||||||||
KA200-** | 200 | 55 | 800~1200 | 2800 | 3.9x104 | 3.20 | 640 | 15 | 125 | 0.060 | 0.010 | 10 | 0.08 | T2A |
KA500-** | 500 | 55 | 800~1200 | 7500 | 2.8x105 | 3.20 | 1570 | 15 | 125 | 0.039 | 0.008 | 15 | 0.26 | T5C |
KA1000-** | 1000 | 55 | 800~1200 | 15000 | 1.1x106 | 3.20 | 3000 | 15 | 125 | 0.022 | 0.005 | 25 | 0.46 | T8C |