IGBT-г дарна уу
Хэвлэлийн багц IGBT (IEGT)
| ТӨРӨЛ | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10мс kA | VTM V | VTO V | rT мΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/Вт | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
Жич:D- хамт dиодын хэсэг, А-диодын хэсэггүй
Уламжлал ёсоор гагнуурын контактын IGBT модулиудыг уян хатан тогтмол гүйдлийн дамжуулалтын системийн унтраалгад ашигладаг байв.Модулийн багц нь нэг талын дулаан ялгаруулалт юм.Төхөөрөмжийн хүчин чадал хязгаарлагдмал бөгөөд цуваа холбоход тохиромжгүй, давстай агаарт ажиллах хугацаа муу, чичиргээний эсрэг эсвэл дулааны ядаргаа.
Шинэ төрлийн пресс контакттай өндөр хүчин чадалтай IGBT төхөөрөмж нь гагнуурын ажлын сул орон зай, гагнуурын материалын дулааны ядаргаа, нэг талт дулаан ялгаруулах үр ашиг багатай асуудлуудыг бүрэн шийдэж зогсохгүй янз бүрийн бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн дулааны эсэргүүцлийг арилгадаг. хэмжээ, жинг багасгах.Мөн IGBT төхөөрөмжийн ажлын үр ашиг, найдвартай байдлыг эрс сайжруулна.Энэ нь уян хатан тогтмол гүйдлийн дамжуулах системийн өндөр хүч чадал, өндөр хүчдэл, өндөр найдвартай байдлын шаардлагыг хангахад маш тохиромжтой.
Гагнуурын контактын төрлийг IGBT дарагчаар солих нь зайлшгүй шаардлагатай.
2010 оноос хойш Runau Electronics нь шинэ төрлийн пресс-пакт IGBT төхөөрөмж бүтээж, 2013 онд үйлдвэрлэлээ амжилттай явуулахаар ажиллаж эхэлсэн. Гүйцэтгэлийг үндэсний мэргэшлээр баталгаажуулж, хамгийн сүүлийн үеийн амжилтад хүрсэн.
Одоо бид 600А-аас 3000А хүртэлх IC-ийн цуврал IGBT, 1700В-аас 6500В-ын VCES хүрээтэй пресс-пакет үйлдвэрлэж, нийлүүлэх боломжтой.Хятадад үйлдвэрлэсэн IGBT-ийн уян хатан тогтмол гүйдлийн дамжуулах системийг Хятадад ашиглах гайхалтай хэтийн төлөв маш их хүлээгдэж байгаа бөгөөд энэ нь өндөр хурдны цахилгаан галт тэрэгний дараагаар Хятадын эрчим хүчний электроникийн салбарын дэлхийн жишигт хүрэх бас нэгэн миль болох болно.
Ердийн горимын товч танилцуулга:
1. Горим: IGBT CSG07E1700-г дар
●Савлах, дарсны дараа цахилгаан шинж чанар
● УрвууЗэрэгцээхолбогдсонхурдан сэргээх диоддүгнэв
● Параметр:
Нэрлэсэн утга（25℃）
а.Коллекторын ялгаруулагчийн хүчдэл: VGES=1700（V）
б.Хаалганы ялгаруулагчийн хүчдэл: VCES=±20（V）
в.Коллекторын гүйдэл: IC=800（A）ICP=1600（A）
г.Коллекторын эрчим хүчний алдагдал: PC=4440（W）
д.Ажлын уулзварын температур: Tj=－20~125℃
е.Хадгалах температур: Tstg=－40~125℃
Анхаарна уу: Хэрэв нэрлэсэн үнэ цэнээс хэтэрсэн бол төхөөрөмж гэмтэх болно
ЦахилгаанCхарактеристик, TC＝125℃，Rth (-ийн дулааны эсэргүүцэлуулзвархэрэг）оруулаагүй болно
а.Хаалганы алдагдал гүйдэл: IGES=±5（μA）
б.Коллекторын ялгаруулагч блоклох гүйдэл ICES=250（mA）
в.Коллекторын ялгаруулагчийн ханалтын хүчдэл: VCE(sat)=6(V)
г.Хаалганы ялгаруулагчийн босго хүчдэл: VGE(th)=10(V)
д.Асаах хугацаа: Тон=2.5μс
е.Унтраах хугацаа: Toff=3μs
2. Горим: IGBT CSG10F2500-г дар
●Савлах, дарсны дараа цахилгаан шинж чанар
● УрвууЗэрэгцээхолбогдсонхурдан сэргээх диоддүгнэв
● Параметр:
Нэрлэсэн утга（25℃）
а.Коллекторын ялгаруулагчийн хүчдэл: VGES=2500（V）
б.Хаалганы ялгаруулагчийн хүчдэл: VCES=±20（V）
в.Коллекторын гүйдэл: IC=600（A）ICP=2000（A）
г.Коллекторын эрчим хүчний алдагдал: PC=4800（W）
д.Ажлын уулзварын температур: Tj=－40~125℃
е.Хадгалах температур: Tstg=－40~125℃
Анхаарна уу: Хэрэв нэрлэсэн үнэ цэнээс хэтэрсэн бол төхөөрөмж гэмтэх болно
ЦахилгаанCхарактеристик, TC＝125℃，Rth (-ийн дулааны эсэргүүцэлуулзвархэрэг）оруулаагүй болно
а.Хаалганы алдагдал гүйдэл: IGES=±15（μA）
б.Коллекторын ялгаруулагч блоклох гүйдэл ICES=25（mA）
в.Коллекторын ялгаруулагчийн ханалтын хүчдэл: VCE(sat)=3.2 (V)
г.Хаалганы ялгаруулагчийн босго хүчдэл: VGE(th)=6.3(V)
д.Асаах хугацаа: Тон=3.2μс
е.Унтраах хугацаа: Toff=9.8μs
g.Диод Урагшлах хүчдэл: VF=3.2 В
h.Диодын урвуу нөхөн сэргээх хугацаа: Trr=1.0 μs
3. Горим: IGBT CSG10F4500-г дар
●Савлах, дарсны дараа цахилгаан шинж чанар
● УрвууЗэрэгцээхолбогдсонхурдан сэргээх диоддүгнэв
● Параметр:
Нэрлэсэн утга（25℃）
а.Коллекторын ялгаруулагчийн хүчдэл: VGES=4500（V）
б.Хаалганы ялгаруулагчийн хүчдэл: VCES=±20（V）
в.Коллекторын гүйдэл: IC=600（A）ICP=2000（A）
г.Коллекторын эрчим хүчний алдагдал: PC=7700（W）
д.Ажлын уулзварын температур: Tj=－40~125℃
е.Хадгалах температур: Tstg=－40~125℃
Анхаарна уу: Хэрэв нэрлэсэн үнэ цэнээс хэтэрсэн бол төхөөрөмж гэмтэх болно
ЦахилгаанCхарактеристик, TC＝125℃，Rth (-ийн дулааны эсэргүүцэлуулзвархэрэг）оруулаагүй болно
а.Хаалганы алдагдал гүйдэл: IGES=±15（μA）
б.Коллекторын ялгаруулагч блоклох гүйдэл ICES=50（mA）
в.Коллекторын ялгаруулагчийн ханалтын хүчдэл: VCE(sat)=3.9 (V)
г.Хаалганы ялгаруулагчийн босго хүчдэл: VGE(th)=5.2 (V)
д.Асаах хугацаа: Тон=5.5μс
е.Унтраах хугацаа: Toff=5.5μs
g.Диод Урагшлах хүчдэл: VF=3.8 В
h.Диодын урвуу сэргээх хугацаа: Trr=2.0 μs
Жич:Press-pack IGBT нь урт хугацааны өндөр механик найдвартай, гэмтэлд тэсвэртэй, пресс холболтын бүтцийн онцлог шинж чанараараа давуу талтай, цуврал төхөөрөмжид ашиглахад тохиромжтой, уламжлалт GTO тиристортой харьцуулахад IGBT нь хүчдэлд хөтлөх арга юм. .Тиймээс энэ нь ажиллахад хялбар, аюулгүй, өргөн хүрээтэй байдаг.